2SK536 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 BJ 低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK536 N沟道MOSFET 50V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 BJ 低导通电阻

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型号：2SK536
厂家：SANYO
批号：03+2RNOPB 05+NOPB1200
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：BJ
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	12V
最大漏极电流Id Drain Current	100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	20Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.3-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	200mW/0.2W
Description & Applications	N-CHANNEL Enhancement MOS Silicon FET Analog Switching application Features N-Channel Enhancement MOS Silicon FET Analog Switch Application Large Yfs Small ON resistance
描述与应用	N沟道增强型MOS FET硅模拟开关应用特性 N沟道增强MOS FET硅模拟开关应用大Yfs 小通态电阻

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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