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  • 型号：2SK368-GR
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+ 05+nopb
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：KAG
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage100v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -100v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current2.6~6.5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.4~-3.5v
耗散功率PdPower Dissipation150mW/0.15W
Description & Applications•Silicon N-Channel Junction FET Audio Frequency and High Voltage Amplifier Applications Constant Current Applications • High breakdown voltage: VGDS = −100 V (min) • High input impedance: IGSS = −1.0 nA (max) (VGS = −80 V) • Small package
描述与应用•硅N沟道结型场效应管 音频频率和高电压放大器的应用 恒流应用 •高击穿，电压：VGDS= -100 V（分钟） •高输入阻抗：IGSS= -1.0 NA（最大值）（VGS=-80 V） •小型封装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK368-GR
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