2SK3376TT-B N沟道结型场效应管 20v 0.17~0.3mA SOT-523 marking/标记 3B|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK3376TT-B N沟道结型场效应管 20v 0.17~0.3mA SOT-523 marking/标记 3B

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型号：2SK3376TT-B
厂家：TOSHIBA
批号：0613NOPB 06NOPB
整包数量：4000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：3B
封装：SOT-523
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	20v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-20v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	0.17~0.3ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-0.15~-1v
耗散功率PdPower Dissipation	100mW/0.1W
Description & Applications	•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
描述与应用	•场效应晶体管的硅N沟道结型

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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