2SK322WR N沟道MOSFET 15V 50mA SOT-23/SC-59 marking/标记 WR 低导通电阻/高速度开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK322WR N沟道MOSFET 15V 50mA SOT-23/SC-59 marking/标记 WR 低导通电阻/高速度开关

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型号：2SK322WR
厂家：HITACHI
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：WR
封装：SOT-23/SC-59
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	15v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage	-15v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current	20~32ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage	-3v
耗散功率PdPower Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	•Silicon N-Channel Junction FET •HF wide band amplifier
描述与应用	•硅N沟道结型场效应管 •HF宽频带放大器

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
2SK3230 N沟道结型场效应管 20v 0.2~0.45mA SOT-523 marking/标记 J6 阻抗变换器	2SK3230 标记：J6 封装：SOT-523/SC-75/USM	NEC	批号：04+ 05+	76900 10起订
2SK3230 N沟道结型场效应管 20v 0.06~0.11mA SOT-523 marking/标记 j5 阻抗变换器	2SK3230 标记：j5 封装：SOT-523/SC-75/USM	NEC	批号：05+ 08+	9981 10起订
2SK3230B N沟道结型场效应管 20v 0.15~0.24mA SOT-523 marking/标记 CF radio 和电话	2SK3230B 标记：CF 封装：SOT-523/SC-75/USM	NEC	批号：06NOPB 07+NOPB+08NOPB	303000 10起订
2SK3230B N沟道结型场效应管 20v 0.09~0.18mA SOT-523 marking/标记 CE radio 和电话	2SK3230B 标记：CE 封装：SOT-523/SC-75/USM	NEC	批号：05+1RNOPB 05+	17000 10起订
2SK3230B N沟道结型场效应管 20v 0.32~0.43mA SOT-523 marking/标记 CJ radio 和电话	2SK3230B 标记：CJ 封装：SOT-523/SC-75/USM	NEC	批号：05+NOPB	1400 10起订
2SK3278 N沟道MOSFET 30V 15A TO-252/TP-FA marking/标记 K3278 低导通电阻/高速度开关/无二次击穿/低驱动功率	2SK3278 标记：K3278 封装：TO-252/TP-FA	SANYO	批号：04+NOPB	0 10起订
2SK3280 N沟道MOSFET 30V 20A TO-252/TP-FA marking/标记 K3280 低导通电阻/高速度开关/无二次击穿/低驱动功率	2SK3280 标记：K3280 封装：TO-252/TP-FA	SANYO	批号：05+	0 10起订
2SK3289 N沟道MOSFET 30V 300mA/0.3A SOT-323/SC-70/CMPAK marking/标记 AN 高速开关/低导通电阻/4V栅极驱动器	2SK3289 标记：AN 封装：SOT-323/SC-70/CMPAK	HITACHI	批号：05+ 05+NOPB2500	8000 10起订

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商品：: 2SK322WR

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