2SK2910-TB-E N沟道MOSFET 30V 800mA/0.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 EK 低导通电阻/超高速开关/4V驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK2910-TB-E N沟道MOSFET 30V 800mA/0.8A SOT-23/SC-59 marking/标记 EK 低导通电阻/超高速开关/4V驱动

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型号：2SK2910-TB-E
厂家：SANYO
批号：05+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：EK
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	800mA/0.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.23Ω/Ohm @400mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation	250mW/0.25W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 4V drive
描述与应用	N-沟道硅MOSFET 超高速开关应用特性超高速开关应用低导通电阻超高速开关 4V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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