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  • 型号：2SK2463
  • 厂家：ROHM
  • 批号：05+ 05+08NOPB1700
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：kc
  • 封装：SOT-89/SC-62/MPT3
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.3Ω/Ohm @1A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation500mW/0.5W
Description & ApplicationsSmall switching (60V, 2A) Silicon N-channel MOSFET Features Silicon N-channel MOSFET Low on-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) Low-voltage drive (4V) Easily designed drive circuits Easy to parallel
描述与应用小开关（60V，2A） 硅N沟道MOSFET 特性 硅N沟道MOSFET 低导通电阻 开关速度快 宽SOA（安全工作区） 低电压驱动（4V） 容易驱动电路设计 易于并行
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK2463
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