2SK2373ZE N沟道MOSFET 30V 400mA/0.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 ZE 低导通电阻/高速开关/低电压驱动/DC-DC转换|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK2373ZE N沟道MOSFET 30V 400mA/0.4A SOT-23/SC-59 marking/标记 ZE 低导通电阻/高速开关/低电压驱动/DC-DC转换

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型号：2SK2373ZE
厂家：RENESAS
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ZE
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	1Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	Silicon N-Channel MOS FET Features Silicon N-Channel MOS FET Low frequency power switching Low on-resistance Small package Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for low signal load switch
描述与应用	硅N沟道MOS FET 特性硅N沟道MOS FET 低频电源开关低导通电阻小型封装低驱动电流 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源适合低信号负载开关

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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