2SK2199 N沟道MOSFET 250V 800mA/0.8A TO-252/TP-FA marking/标记 K2199 低导通电阻/超高速开关/低电压驱动|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SK2199 N沟道MOSFET 250V 800mA/0.8A TO-252/TP-FA marking/标记 K2199 低导通电阻/超高速开关/低电压驱动

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型号：2SK2199
厂家：SANYO
批号：04+
整包数量：700
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K2199
封装：TO-252/TP-FA
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	250V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	800mA/0.8A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	3.5Ω/Ohm @400mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1.5-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	1W
Description & Applications	Features Ultrahigh-Speed Switching Applications Low ON resistance Ultrahigh-speed switching Low-voltage drive
描述与应用	特性超高速开关应用低导通电阻超高速开关低电压驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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