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  • 型号：2SK1830
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：12+ROHS 12+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：KI
  • 封装：SOT-523/SSM
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance20Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装
描述与应用特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 2.5V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK1830
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