2SK1830 N沟道MOSFET 20V 50mA SOT-523/SSM marking/标记 KI 高速开关/模拟开关应用/4V栅极驱动/低阈值电压|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK1830 N沟道MOSFET 20V 50mA SOT-523/SSM marking/标记 KI 高速开关/模拟开关应用/4V栅极驱动/低阈值电压

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型号：2SK1830
厂家：TOSHIBA
批号：12+ROHS 12+ROHS
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：KI
封装：SOT-523/SSM
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	20Ω/Ohm @10mA,2.5V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	100mW/0.1W
Description & Applications	东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型高速开关应用模拟开关应用特性硅N沟道MOS FET 高速开关应用模拟开关应用 2.5V栅极驱动低阈值电压高速增强型小包装
描述与应用	特性硅N沟道MOS FET 高速开关应用模拟开关应用 2.5V栅极驱动低阈值电压高速增强型小包装

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
2SK1839 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70 marking/标记 JJ 高速开关/模拟开关应用/4V栅极驱动/低阈值电压	2SK1839 标记：JJ 封装：SOT-323/SC-70	SANYO	批号：05+	3000 10起订
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2SK18600U2MC N沟道结型场效应管 20v 0.095~0.48mA SOT-23 marking/标记 1H U 低频阻抗转换	2SK18600U2MC 标记：1H U 封装：SOT-23/SC-59	Panasonic	批号：05+PB	10000 10起订

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