2SJ361RYTR P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.28ohm SOT-89 marking/标记 RY 高速功率开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SJ361RYTR P沟道MOS场效应管 -20V -2A 0.28ohm SOT-89 marking/标记 RY 高速功率开关

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型号：2SJ361RYTR
厂家：HITACHI
批号：05+ 05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：RY
封装：SOT-89/SC-62/UPAK
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.28Ω @1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-0.5--1.5V
耗散功率PdPower Dissipation	1W
Description & Applications	High speed power switching Features • Low on-resistance • High speed switching • Low drive current • 2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source
描述与应用	高速功率开关特性 •低导通电阻 •高速开关 •低驱动电流 •2.5 V门驱动装置可以驱动从3 V源

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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2N7002EPT N沟道MOSFET 60V 250mA/0.25A SOT-323/SC-70 marking/标记 6C 低漏源导通电阻	2N7002EPT 标记：6C 封装：SOT-323/SC-70	CHENMKO	批号：09NOPB	2750 10起订
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mmBD4148LT1 开关二极管 100V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 5H	MMBD4148LT1 标记：5H 封装：SOT-23/SC-59	ON	批号：05+	3000 10起订
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