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  • 型号：2SJ212
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：PO
  • 封装：SOT-89/SC-62
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-500mA/-0.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.8Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance
描述与应用MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ212
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