请先登录
首页
购物车0
库存30件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SJ197
  • 厂家：NEC
  • 批号：5 05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：PB
  • 封装：SOT-89/SC-62
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.9Ω @-500mA,-4V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance Complementary to 2SK1483
描述与应用MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关 直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻 对管是2SK1483
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ197
*主题：
详细内容：
*验证码：