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  • 型号：2SJ130
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：J130
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-300V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance6.0Ω -500mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-2.0--4.0V
耗散功率PdPower Dissipation20W
Description & ApplicationsSilicon P-Channel MOS FET High speed power switching applications Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator, DC-DC converter and ultrasonic power oscillators
描述与应用硅P沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 无二次击穿 适用于开关稳压器，DC-DC转换器的和超声功率振荡器
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SJ130
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