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  • 型号：2SB1661S
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：B1661
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-300V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−300V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)−150mA/-0.15A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 11MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)50~200
管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage-1000mV/-1V
耗散功率PcPoWer Dissipation10W
Description & ApplicationsSilicon PNP Triple Diffused Low Frequency Amplifier Features High voltage .
描述与应用三重扩散PNP硅晶体管 特点 高电压。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SB1661S
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