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  • 型号：2SB1261-Z-E1
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：B1261
  • 封装：TO-252/DPAK
  • 技术文档：下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)-60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)−60V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)-3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 50MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)100~400
管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage-300mV/-0.3V
耗散功率PcPoWer Dissipation2W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor High hFE Low VCE
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 高HFE 低VCE
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SB1261-Z-E1
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