集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
-150MA / -0.15A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
80MHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
120~240 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
-0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
200MW |
描述与应用
Description & Applications |
特点•晶体管硅PNP外延式（PCT的进程）•开发音频放大器应用•小型封装（双类型）•高电压和高电流•高HFE•优秀HFE线性•互补2SC4944 |
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