| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -35V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −20V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | -5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 170MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 160~320 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | -1000mV/-1V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | silicon PNP epitaxial type strobe flash application； medium power amplifier application； low collector saturation voltage； high power dissipation |
| 描述与应用 | 硅PNP外延型 闪光灯的应用; 中等功率放大器应用; 集电极饱和电压低; 高功耗 |