| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) |
−60V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) |
−50V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) |
120MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) |
120~240 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage |
−600mV/-0.6V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation |
250mW/0.25W |
| Description & Applications |
PNP medium power transistors FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 50 V) • Low collector-emitter saturation voltage (max. 600 mV). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 |
PNP中等功率晶体管 特点 •高电流（最大500毫安） •低电压（最大50 V） •低集电极 - 发射极饱和电压（最大600毫伏）。 应用 •通用开关和放大 |