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  • 型号：2N7002
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：05+ 00+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：72
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage40V
最大漏极电流Id Drain Current115mA/0.115A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance7.5Ω/Ohm @500mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Features 60 V, 300 mA N-channel Trench MOSFET Suitable for logic level gate drive sources Very fast switching Surface-mounted package Trench MOSFET technology
描述与应用表面贴装 N沟道增强型场效应晶体管 特性 60 V，300毫安N通道沟道MOSFET 适用于逻辑电平栅极驱动源 开关速度非常快 表面贴装封装 沟道MOSFET技术
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2N7002
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