| 反向电压VrReverse Voltage |
200V |
| 平均整流电流IoAverage Rectified Current |
100mA/0.1A |
| 最大正向压降VFForward Voltage(Vf) |
1.2V |
| 反向恢复时间TrrReverse Recovery Time |
60NS |
| 最大耗散功率PdPower Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
•TOSHIBA Diode Silicon EpitAxiAl PlAnAr Type •Low forwArd VoltAge : VF (2) = 0.90V (typ.) •FAst reVerse recoVery time : trr = 30ns (mAx) •SmAll totAl cApAcitAnce : CT = 1.5pF (typ.) •SmAll pAckAge : SC-61 •High VoltAge,High Speed Switching |
| 描述与应用 |
•东芝二极管硅外延平面型 •低正向电压VF（2）=0.90V（典型值） •快速反向恢复时间：TRR =30ns的（最大） •小总电容：CT=1.5pF的（典型值） •小型封装：SC-61 •高电压，高速开关 |